2种方式相比,对于等离子体区直接进样的聚合方法,基材表面聚合物沉积速度较慢,成膜不连续,而对由等离子体下游区进样聚合方法成膜均匀.等离子体区直接进样方式由于单体经过等离子体区时被直接电离,随即在等离子枪壁和内电极表面开始沉积,同时等离子体区存在很强制电场,也促进了离子在电场作用下的枪壁和内电极上的沉积这样能沉积在基材上的单体就大大减少从而影响沉积速率和膜的形成,在实验后发现的枪壁与内电极上的白色粉状物质证实了这一点.    对化学键能比较分析，Si一0，C一0 2种键合方式键能最大，生成产物最稳定，对键合最有利，且单体中已存在si一0键，离解后就近复合的几率更大，而C一0键易生成气态物质而流失，因此生成Si一0的可能性更大。红外光谱的实验分析结果也表明，产物中主要是SiOx，并伴随有一定量的SiC，及少量CO 、CH，R、HOR等化合物。    应用DBD等离子体枪，在大气压下聚合SiOx膜，比较2种不同的进样方式发现，单体输入采用从空心内电极中部导入，在等离子体下游区进样与从等离子体区直接进样，其放电特性、成膜结构没有明显差别，而成膜速度大大提高，推墨实验表明，用等离子体下游区进样聚合的SiOx薄膜斥墨性好，明显优于等离子体区直接进样，可做新型无水胶印板材。作者/韩尔立1，陈强1，张广秋1，武昌平2(1．北京印刷学院；2．中国原子能科学研究院，信息来源:包装工程 2005年第四期