伦敦（金属商网）据称，日本高新科学技术研究院（AIST）开发成功了一种高临界电池密度的超导氧化物薄膜。该薄膜采用钇钡铜氧经处延生长制成，长30cm，宽10cm。－196℃时，该薄膜的临界电流密度为1.9×10-6安培/cm2。
    钇基氧化物薄膜的生长需一定的光学环境。为此，AIST下属的材料化学工艺研究所在蓝宝石基质上，采用真空沉积法制备了二氧化铈过渡层。
    电气工业对超导晶体管限流器的需求量很大。为此，该研究院计划进行载流能力试验，以考察其限流性能。